MOSFET canal N Infineon 637 A 40 V Enrichissement, 9 broches, PG-TTFN-9 OptiMOS

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Code commande RS:
285-039
Référence fabricant:
IQDH45N04LM6CGATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

637A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

PG-TTFN-9

Série

OptiMOS

Type de montage

En surface

Nombre de broches

9

Résistance Drain Source maximum Rds

0.45mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

333W

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS Compliant

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET d'Infineon est doté d'un transistor de puissance avancé qui excelle dans les applications hautes performances, offrant un rendement et une fiabilité exceptionnels. Conçu dans le cadre de la série OptiMOS 6, il présente des caractéristiques électriques impressionnantes, établissant une nouvelle norme pour la technologie MOSFET. Grâce aux tests d'avalanche à 100 %, les utilisateurs peuvent faire confiance à sa robustesse, qu'ils soient utilisés dans les applications de gestion de l'alimentation ou de commande de moteur. En outre, sa conformité à la directive RoHS et ses caractéristiques sans halogène garantissent le respect de normes environnementales strictes, ce qui en fait un choix judicieux pour les projets soucieux de l'environnement.

Conception de canaux N pour les applications de niveau logique

Résistance thermique exceptionnelle pour la dissipation de la chaleur

Conçu pour une efficacité de commutation rapide

L'avalanche est classée pour sa fiabilité sous contrainte

Sans plomb et conforme à la directive RoHS pour le respect de l'environnement

La construction sans halogène répond aux normes de sécurité

Certification JEDEC pour les performances industrielles

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