MOSFET de puissance canal N Infineon 142 A 600 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 IPT
- Code commande RS:
- 349-256
- Référence fabricant:
- IPT60R016CM8XTMA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 349-256
- Référence fabricant:
- IPT60R016CM8XTMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 142A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Série | IPT | |
| Type de Boitier | PG-HSOF-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 16mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 171nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 694W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | JEDEC | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 142A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Série IPT | ||
Type de Boitier PG-HSOF-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 16mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 171nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 694W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations JEDEC | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
Transistor MOSFET de puissance Infineon série IPT, tension de source de drain de 600 V, courant de drain continu maximal de 142 A - IPT60R016CM8XTMA1
Ce MOSFET de puissance est un dispositif d'amélioration à canal N haute tension conçu pour les fonctions de commutation et de conversion de puissance dans les systèmes électroniques exigeants. Il fonctionne dans une large plage ambiante et est fourni dans un boîtier compact à montage en surface pour l'intégration sur les cartes peuplées où une gestion thermique et de courant robuste est nécessaire.
Caractéristiques et avantages :
• La valeur nominale de 600 V permet des applications de commutation haute tension
• Rds(on) de 16 mΩ réduit les pertes de conduction en cas de charge lourde
• Le courant continu 142 A prend en charge les niveaux de puissance à courant élevé
• La charge de grille typique de 171 nC permet des transitions de commande de grille plus rapides
• Dissipation de puissance maximale de 694 W facilitant la planification de la marge thermique
• Tolérance de grille de 30 V prenant en charge des tensions de commande de grille flexibles
• Rds(on) de 16 mΩ réduit les pertes de conduction en cas de charge lourde
• Le courant continu 142 A prend en charge les niveaux de puissance à courant élevé
• La charge de grille typique de 171 nC permet des transitions de commande de grille plus rapides
• Dissipation de puissance maximale de 694 W facilitant la planification de la marge thermique
• Tolérance de grille de 30 V prenant en charge des tensions de commande de grille flexibles
Applications
• Convient aux étages d'inverseur de moteur industriel
• Idéal pour les alimentations haute tension et les convertisseurs
• Utilisé avec des topologies SMPS résonnantes et à commutation dure
• Peut être utilisé pour les systèmes de traction et à usage intensif c.c.-c.c.
• Adapté à la distribution d'alimentation et à la commutation au niveau de la carte
• Idéal pour les alimentations haute tension et les convertisseurs
• Utilisé avec des topologies SMPS résonnantes et à commutation dure
• Peut être utilisé pour les systèmes de traction et à usage intensif c.c.-c.c.
• Adapté à la distribution d'alimentation et à la commutation au niveau de la carte
Quel boîtier et quelle méthode de montage utilise-t-il pour l'assemblage des circuits imprimés?
Il est fourni dans un boîtier PG-HSOF-8 destiné à un placement en surface pour faciliter l'assemblage automatisé et la conduction thermique vers la carte.
Comment fonctionne-t-il à des températures extrêmes?
Le dispositif est conçu pour fonctionner de -55 °C à 150 °C, ce qui permet des applications exposées à de larges variations de température.
Quelles sont les limites de tension de grille à respecter lors de la conception?
Les tensions de source de grille ne doivent pas dépasser 30 V pour éviter les contraintes diélectriques de grille.
Est-il conforme aux normes de test de l'industrie?
Il est conforme aux normes JEDEC en matière de qualification et de manipulation des semi-conducteurs.
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