MOSFET canal N Infineon 243 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 IPT0

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Code commande RS:
351-908
Référence fabricant:
IPT023N10NM5LF2ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

243A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

PG-HSOF-8

Série

IPT0

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

2.3mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

300W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

144nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

10.1mm

Longueur

10.58mm

Normes/homologations

RoHS, Halogen-Free According to IEC61249-2-21, JEDEC Qualified

Hauteur

2.4mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
AT
La technologie OptiMOS 5 Linear FET 2 d'Infineon permet le meilleur compromis de sa catégorie entre la résistance à l'état passant et la capacité en mode linéaire. Associé au boîtier TOLL, l'IPT023N10NM5LF2 est destiné à la protection contre les courants d'appel, comme le remplacement à chaud, les fusibles électroniques et la protection de la batterie dans les systèmes de gestion de la batterie (BMS).

Large zone de fonctionnement sûre (SOA)

Faible RDS(on)

Courant de fuite de grille (IGSS) inférieur par rapport à un FET linéaire

Caractéristique de transfert optimisée

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