MOSFET N Infineon 500 A 3300 V Enrichissement, AG-XHP2K33 FF4000

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Code commande RS:
351-986
Référence fabricant:
FF4000UXTR33T2M1BPSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

500A

Tension Drain Source maximum Vds

3300V

Type de Boitier

AG-XHP2K33

Série

FF4000

Type de montage

Surface

Résistance Drain Source maximum Rds

13.3mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

5.8V

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Dissipation de puissance maximum Pd

20mW

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

40mm

Longueur

140mm

Normes/homologations

IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749

Standard automobile

Non

Le module demi-pont MOSFET CoolSiC d'Infineon conçu pour les applications de haute puissance. Il est doté d'une tension nominale de 3,3 kV et de la technologie d'interconnexion .XT, ce qui garantit une efficacité accrue et une durée de vie prolongée. Ce module est idéal pour décarboniser les transports, les moteurs de traction et les convertisseurs à haute puissance.

Efficacité énergétique

Haute densité de puissance

Durée de vie améliorée

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