MOSFET canal N Infineon 100 A 1200 V Enrichissement, 8 broches, AG-EASY2B. IAUZ AEC-Q101
- Code commande RS:
- 250-0217
- Référence fabricant:
- F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 plateau de 18 unités)*
1 686,01 €
HT
2 023,20 €
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 18 + | 93,667 € | 1 686,01 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 250-0217
- Référence fabricant:
- F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Type de Boitier | AG-EASY2B. | |
| Série | IAUZ | |
| Type de montage | Borne à vis | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.4mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 80nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 81W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Type de Boitier AG-EASY2B. | ||
Série IAUZ | ||
Type de montage Borne à vis | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.4mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 81W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Module MOSFET CoolSiC EasyPACK™ 2B 1.200 V / 8 mΩ 3 niveaux d'Infineon avec transistor MOSFET CoolSiCTM avec génération 1 améliorée, capteur de température CTN intégré, matériau d'interface thermique pré-appliqué et technologie de contact PressFIT.
Haute densité de courant
Faibles pertes de commutation
Montage robuste grâce aux attaches de montage intégrées
Capteur de température CTN intégré
Technologie de contact PressFIT
Matériau d'interface thermique pré-appliqué
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