MOSFET P Vishay 90.9 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SIR5607DP
- Code commande RS:
- 653-196
- Référence fabricant:
- SIR5607DP-T1-UE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 653-196
- Référence fabricant:
- SIR5607DP-T1-UE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 90.9A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | PowerPAK | |
| Série | SIR5607DP | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.007Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 31.7nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 104W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 6.25mm | |
| Hauteur | 1.12mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 5.26mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 90.9A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier PowerPAK | ||
Série SIR5607DP | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.007Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 31.7nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 104W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 6.25mm | ||
Hauteur 1.12mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 5.26mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET à canal P de Vishay est conçu pour une commutation efficace dans les systèmes d'alimentation compacts. Il prend en charge une tension de source de drain jusqu'à 60 V et est logé dans un boîtier PowerPAK SO-8. Construit à l'aide de la technologie TrenchFET Gen V, il offre un RDS(on) très faible, ce qui minimise la chute de tension et les pertes de conduction.
Sans plomb
Sans halogène
Conformité RoHS
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