MOSFET de puissance canal N Infineon 127 A 80 V Enrichissement, 9 broches, PG-TTFN-9 OptiMOS

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Code commande RS:
762-896
Référence fabricant:
IQE031N08LM6CGATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET de puissance

Courant continu de Drain maximum Id

127A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Type de Boitier

PG-TTFN-9

Série

OptiMOS

Type de montage

En surface

Nombre de broches

9

Résistance Drain Source maximum Rds

3.15mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

33nC

Dissipation de puissance maximum Pd

125W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

3.4mm

Normes/homologations

RoHS Compliant

Longueur

3.4mm

Hauteur

0.75mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
MY
Le transistor de puissance OptiMOS 6 d'Infineon est optimisé pour les SMPS hautes performances avec une tension nominale de 80 V. Il est sans halogène conformément à la norme CEI61249-2-21 et est conforme à la directive RoHS.

Canal N

100 % testé contre les avalanches

Température de fonctionnement de 75 °C

Placage de plomb sans plomb

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