Références fabricant

MOSFET canal N Infineon 300 A 30 V Enrichissement, 9 broches, HSOF OptiMOS

Code commande RS:: 130-0929
Référence fabricant:: IPT004N03LATMA1
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 300 A 30 V Enrichissement, 9 broches, HSOF OptiMOS

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

7,34 €

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Code commande RS:: 130-0929
Référence fabricant:: IPT004N03LATMA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	300A
	Tension Drain Source maximum Vds	30V
	Type de Boitier	HSOF
	Série	OptiMOS
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	9
	Résistance Drain Source maximum Rds	500μΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd	300W
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	252nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20, +20V
	Tension directe Vf	1V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Longueur	10.1mm
	Hauteur	2.4mm
	Normes/homologations	No
	Largeur	10.58mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 300A
	Tension Drain Source maximum Vds 30V
	Type de Boitier HSOF
	Série OptiMOS
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 9
	Résistance Drain Source maximum Rds 500μΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd 300W
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 252nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20, +20V
	Tension directe Vf 1V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Longueur 10.1mm
	Hauteur 2.4mm
	Normes/homologations No
	Largeur 10.58mm
	Standard automobile Non

IPT004N03L, OptiMOS Power-MOSFET 30V

Famille de transistors de puissance MOSFET OptiMOS™ d'Infineon

Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.

Canal N - Mode d'enrichissement

Certifié AEC-Q101 automobile

MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C

Température d'utilisation de 175 °C

Boîtier vert (sans plomb)

Très faible RDS(on)

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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