Transistor de puissance N Infineon 80 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 OptiMOS -T2 AEC-Q101

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Code commande RS:
165-5607
Référence fabricant:
IPB80N06S4L05ATMA2
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

Transistor de puissance

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

80A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

TO-263

Série

OptiMOS -T2

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

4.8mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.3V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

107W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

83nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

4.4mm

Normes/homologations

RoHS

Longueur

10mm

Standard automobile

AEC-Q101

Statut RoHS non applicable

Pays d'origine :
CN

Transistor de puissance MOSFET OptiMOS™ T2 d'Infineon


La nouvelle gamme OptiMOS™ -T2 d'Infineon se compose de transistors MOSFET éco-énergétiques avec réduction du CO2 et entraînements électriques. La nouvelle famille de produits OptiMOS™ -T2 vient compléter les familles de produits existantes OptiMOS™ -T et OptiMOS™.

Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.

Canal N - Mode d'enrichissement

Qualifié AEC

MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C

Température d'utilisation de 175 °C

Produit vert (conforme à la norme RoHS)

Transistors MOSFET, Infineon


Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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