Transistor de puissance canal N Infineon 80 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 OptiMOS -T2 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 165-5607
- Référence fabricant:
- IPB80N06S4L05ATMA2
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 165-5607
- Référence fabricant:
- IPB80N06S4L05ATMA2
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | Transistor de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 80A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | OptiMOS -T2 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4.8mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 107W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 83nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -16V, +16V | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 9.25mm | |
| Longueur | 10mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Hauteur | 4.4mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit Transistor de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 80A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série OptiMOS -T2 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4.8mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 107W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 83nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -16V, +16V | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 9.25mm | ||
Longueur 10mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Hauteur 4.4mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Statut RoHS non applicable
- Pays d'origine :
- CN
Transistor de puissance MOSFET OptiMOS™ T2 d'Infineon
La nouvelle gamme OptiMOS™ -T2 d'Infineon se compose de transistors MOSFET éco-énergétiques avec réduction du CO2 et entraînements électriques. La nouvelle famille de produits OptiMOS™ -T2 vient compléter les familles de produits existantes OptiMOS™ -T et OptiMOS™.
Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.
Canal N - Mode d'enrichissement
Qualifié AEC
MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C
Température d'utilisation de 175 °C
Produit vert (conforme à la norme RoHS)
Transistors MOSFET, Infineon
Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.
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