MOSFET canal N Infineon 110 mA 240 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 SIPMOS AEC-Q101
- Code commande RS:
- 165-5867
- Référence fabricant:
- BSS131H6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,086 € | 258,00 € |
| 6000 - 12000 | 0,082 € | 246,00 € |
| 15000 + | 0,077 € | 231,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 165-5867
- Référence fabricant:
- BSS131H6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 110mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 240V | |
| Série | SIPMOS | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 20Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 2.1nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 360mW | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20, +20V | |
| Tension directe Vf | 0.81V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 2.9mm | |
| Largeur | 1.3mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 110mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 240V | ||
Série SIPMOS | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 20Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 2.1nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 360mW | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20, +20V | ||
Tension directe Vf 0.81V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 2.9mm | ||
Largeur 1.3mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET Infineon série SIPMOS, tension de source de drain maximale de 240 V, courant de drain continu maximal de 110 mA - BSS131H6327XTSA1
Ce MOSFET est un transistor à mode d'amélioration à canal N haute tension conçu pour la commutation de puissance à montage en surface dans l'électronique compacte. Il fonctionne sur une large plage de températures adaptée aux environnements exigeants et est destiné aux applications nécessitant une conduction drain-source contrôlée avec une capacité de courant continu modérée.
Caractéristiques et avantages :
• La valeur nominale drain-source de 240 V permet une commutation haute tension
• La capacité de drain continu de 110 mA prend en charge les charges à faible courant
• La limite source-grille de 20 V protège contre les contraintes de grille excessives
• Le RDS(on) maximal de 20 Ω simplifie la gestion thermique à faible courant
• La charge de grille typique de 2,1 nC réduit les besoins en énergie d'entraînement
• Dissipation de puissance de 360 mW adaptée aux petits budgets thermiques à facteur de forme
• La capacité de drain continu de 110 mA prend en charge les charges à faible courant
• La limite source-grille de 20 V protège contre les contraintes de grille excessives
• Le RDS(on) maximal de 20 Ω simplifie la gestion thermique à faible courant
• La charge de grille typique de 2,1 nC réduit les besoins en énergie d'entraînement
• Dissipation de puissance de 360 mW adaptée aux petits budgets thermiques à facteur de forme
Applications
• Convient à la commutation de l'alimentation des capteurs automobiles
• Idéal pour les circuits de commande de gestion de batterie
• Utilisé pour les étapes de grille moteur-driver à faible courant
• Peut être utilisé pour les fonctions de changement de niveau et de protection
• Utilisé avec les instruments portables et portables
• Idéal pour les circuits de commande de gestion de batterie
• Utilisé pour les étapes de grille moteur-driver à faible courant
• Peut être utilisé pour les fonctions de changement de niveau et de protection
• Utilisé avec les instruments portables et portables
Quel boîtier et quelle méthode de montage utilise-t-il pour l'assemblage des circuits imprimés?
Il est fourni dans un boîtier SOT-23 configuré pour un placement en surface pour s'adapter aux processus de soudage automatisés.
Quelles conditions environnementales extrêmes peut-il supporter pendant le fonctionnement?
Le dispositif est conçu pour fonctionner de -55 °C à 150 °C afin de s'adapter à de larges excursions thermiques.
Quelle est la taille du dispositif pour les conceptions à espace restreint?
L'encombrement du boîtier mesure 2,9 mm de longueur et 1,3 mm de largeur, tandis que la hauteur du composant est de 1,0 mm pour les applications à disposition réduite.
Conforme-t-il à une norme de qualification automobile pour l'utilisation dans les véhicules?
Il est conforme à la norme automobile AEC-Q101 pour le contrôle de la contrainte des semi-conducteurs.
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