MOSFET canal N Infineon 230 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 SIPMOS AEC-Q101

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3000 - 30000,061 €183,00 €
6000 - 120000,058 €174,00 €
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Code commande RS:
178-7472
Référence fabricant:
BSS138NH6327XTSA2
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

230mA

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

SOT-23

Série

SIPMOS

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

6Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

830mV

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

360mW

Charge de porte typique Qg @ Vgs

1nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

1.3mm

Hauteur

1mm

Longueur

2.9mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

Transistor MOSFET à canal N Infineon SIPMOS®


Transistors MOSFET, Infineon


Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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