MOSFET canal N Infineon 2.9 A 60 V Enrichissement, 3 broches, SOT-223 SIPMOS AEC-Q101

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Code commande RS:
165-7698
Référence fabricant:
BSP320SH6327XTSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

2.9A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

SIPMOS

Type de Boitier

SOT-223

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

120mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

9.7nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Tension directe Vf

950mV

Dissipation de puissance maximum Pd

1.8W

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

3.5mm

Longueur

6.5mm

Normes/homologations

RoHS

Hauteur

1.6mm

Standard automobile

AEC-Q101

Transistor MOSFET à canal N Infineon SIPMOS®


Transistors MOSFET, Infineon


Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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