MOSFET P Vishay Siliconix 100 A 30 V Enrichissement, 4 broches, TO-252 TrenchFET AEC-Q101

Le transistor MOSFET à canal P à montage en surface de Vishay est un nouveau produit à âge avec une tension source de drain de 30 V et une tension source de grille maximale de Il est doté d'une résistance drain-source de 3,2 mm à une tension de grille-source de 10 V. Il est doté d'une dissipation de puissance maximale de 136 W et d'un courant de drain continu de 100 A. Il est doté d'une tension d'entraînement minimum et maximum de 4,5 et 10 V. Il est utilisé dans les applications automobiles. Le transistor MOSFET a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

• Sans halogène

AEC-Q101