MOSFET P Vishay Siliconix 100 A 40 V Enrichissement, 4 broches, TO-252 TrenchFET AEC-Q101

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Code commande RS:
178-3960
Référence fabricant:
SQD40061EL_GE3
Marque:
Vishay Siliconix
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Marque

Vishay Siliconix

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

100A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Série

TrenchFET

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

Surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

10mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

185nC

Dissipation de puissance maximum Pd

107W

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension directe Vf

-1.5V

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

6.22mm

Normes/homologations

No

Longueur

6.73mm

Standard automobile

AEC-Q101

Statut RoHS : Exempté

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