MOSFET 1 canal N Simple Vishay 2.4 A 50 V, 4 broches, HVMDIP Non
- Code commande RS:
- 180-8673
- Référence fabricant:
- IRFD020PBF
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 180-8673
- Référence fabricant:
- IRFD020PBF
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 2.4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 50V | |
| Type de Boitier | HVMDIP | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.1Ω | |
| Tension directe Vf | 1.4V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 24nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Largeur | 0.425pouce | |
| Longueur | 0.29pouce | |
| Normes/homologations | RoHS Directive 2002/95/EC | |
| Hauteur | 0.330pouce | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 2.4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 50V | ||
Type de Boitier HVMDIP | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.1Ω | ||
Tension directe Vf 1.4V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 24nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Largeur 0.425pouce | ||
Longueur 0.29pouce | ||
Normes/homologations RoHS Directive 2002/95/EC | ||
Hauteur 0.330pouce | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- PH
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET Vishay est un boîtier HVMDIP-4 à canal N, un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 50 V et une tension source de grille maximale de 20 V. Il est doté d'une résistance drain-source de 100 Mohm à une tension de grille-source de 10 V. Le transistor MOSFET est doté d'une dissipation de puissance maximale de 1 W. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
• Compact, empilable à l'extrémité
Facilité de mise en parallèle
• Excellente stabilité de température
Commutation rapide
Pour l'insertion automatique
Composant sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
Applications
• Chargeurs de batterie
• Inverseurs
• Alimentations
Alimentation à découpage (SMPS)
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