MOSFET de puissance 2 canal N Drain commun Vishay 52 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212 TrenchFET Gen IV
- Code commande RS:
- 188-4891
- Référence fabricant:
- SiSF20DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
2 610,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,87 € | 2 610,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 188-4891
- Référence fabricant:
- SiSF20DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 52A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | TrenchFET Gen IV | |
| Type de Boitier | PowerPAK 1212 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 18mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 69.4W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 22nC | |
| Température d'utilisation maximum | +150°C | |
| Configuration du transistor | Drain commun | |
| Largeur | 3.4mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 0.75mm | |
| Longueur | 3.4mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 52A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série TrenchFET Gen IV | ||
Type de Boitier PowerPAK 1212 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 18mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 69.4W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 22nC | ||
Température d'utilisation maximum +150°C | ||
Configuration du transistor Drain commun | ||
Largeur 3.4mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 0.75mm | ||
Longueur 3.4mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
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