MOSFET canal N Infineon 120 A 150 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 OptiMOS 5
- Code commande RS:
- 214-4407
- Référence fabricant:
- IPP051N15N5AKSA1
- Marque:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 10 - 18 | 2,905 € | 5,81 € |
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- Code commande RS:
- 214-4407
- Référence fabricant:
- IPP051N15N5AKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 120A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 150V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | OptiMOS 5 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 5.1mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 80nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 300W | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 4.4mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 15.93mm | |
| Longueur | 10.2mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 120A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 150V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série OptiMOS 5 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 5.1mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 300W | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 4.4mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 15.93mm | ||
Longueur 10.2mm | ||
Standard automobile Non | ||
Ce MOSFET Infineon OptiMOS offre la R DS(on) de pointe d'un transistor MOSFET à tranchée ainsi que la large zone de fonctionnement sûre d'un transistor MOSFET planaire classique.
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