MOSFET canal N Infineon 45 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 OptiMOS-T2

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Code commande RS:
214-9019
Référence fabricant:
IPB45N06S4L08ATMA3
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

45A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

OptiMOS-T2

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

7.9mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

La gamme Infineon de produits OptiMOS -T2 étend les familles existantes d'OptiMOS -T et d'OptiMOS. Ces produits OptiMOS sont disponibles en boîtiers hautes performances pour s'attaquer aux applications les plus difficiles, offrant une flexibilité totale dans les espaces restreints. Les produits Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension de nouvelle génération les plus nettes dans les applications informatiques. Ce sont des boîtiers robustes avec une qualité et une fiabilité supérieures.

Le produit est certifié AEC Q101

Testé à 100 % en avalanche

Sa température d'utilisation est de 175 °C.

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