MOSFET canal N Infineon 7.2 A 650 V N, 3 broches, TO-220 CoolMOS
- Code commande RS:
- 217-2486
- Référence fabricant:
- IPA65R1K0CEXKSA1
- Marque:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 100 - 200 | 0,351 € | 17,55 € |
| 250 - 450 | 0,342 € | 17,10 € |
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- Code commande RS:
- 217-2486
- Référence fabricant:
- IPA65R1K0CEXKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 7.2A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | CoolMOS | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1Ω | |
| Mode de canal | N | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 15.3nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 68W | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 29.75mm | |
| Longueur | 10.65mm | |
| Largeur | 4.9mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 7.2A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série CoolMOS | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1Ω | ||
Mode de canal N | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 15.3nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 68W | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 29.75mm | ||
Longueur 10.65mm | ||
Largeur 4.9mm | ||
Standard automobile Non | ||
Infineon CoolMOS est une technologie révolutionnaire pour les transistors MOSFET de puissance haute tension, conçue conformément au principe de super jonction (SJ) et développée par Infineon Technologies. CoolMOS CE est une plate-forme optimisée pour des performances économiques qui permet de cibler les applications sensibles aux coûts sur les marchés grand public et de l'éclairage en respectant les normes de rendement les plus élevées. La nouvelle série offre tous les avantages d'un transistor MOSFET Superjonction à commutation rapide tout en ne sacrifiant pas la facilité d'utilisation et offrant le meilleur rapport de performances de réduction des coûts disponible sur le marché.
Pertes extrêmement faibles grâce à de très faibles valeurs de charge sur * Qg et Eoss
Robustesse de commutation très élevée
Facile à utiliser/disque
Pâte moulée sans plomb, sans halogène
Qualifié pour les applications de qualité standard
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