MOSFET canal N STMicroelectronics 36 A 1.2 kV Enrichissement, 3 broches, Hip-247 SCTW40N
- Code commande RS:
- 219-4227
- Référence fabricant:
- SCTW40N120G2V
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 219-4227
- Référence fabricant:
- SCTW40N120G2V
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 36A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.2kV | |
| Type de Boitier | Hip-247 | |
| Série | SCTW40N | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 700mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 278W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 13nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 3.3V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 5.15mm | |
| Longueur | 15.75mm | |
| Hauteur | 20.15mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 36A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.2kV | ||
Type de Boitier Hip-247 | ||
Série SCTW40N | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 700mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 278W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 13nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 3.3V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 5.15mm | ||
Longueur 15.75mm | ||
Hauteur 20.15mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le dispositif MOSFET de puissance en carbure de silicium STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie Advanced and innovante de MOSFET SIC de 2e génération de ST. L'appareil est doté d'une résistance à l'état passant remarquablement faible par zone d'unité et de très bonnes performances de commutation. La variation de perte de commutation est presque indépendante de la température de jonction.
Très haute capacité de température de jonction de fonctionnement (TJ = 200 °C)
Diode de corps intrinsèque très rapide et robuste
Très faible charge de grille et capacité d'entrée
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