MOSFET Transistor & Diode Infineon canal N, SuperSO8 5 x 6 20 A 100 V, 8 broches

Infineon offre une large gamme de transistors MOSFET de puissance certifiés pour l'automobile 75 V - 100 V à canal N utilisant la nouvelle technologie OptiMOS dans divers boîtiers, une gamme RDS(on) de 1,2 mmax. à 190 méch. La réduction des émissions de CO2 des voitures de tourisme accélère l'adoption nette de la carte 48 V et donc les générateurs de démarrage 48 V (inverseur principal), Commutateurs principaux de batterie, convertisseur DCDC et auxiliaires 48 V. Pour ce marché en développement, Infineon offre une large gamme de MOSFET automobile 80 V et 100 V, Ils sont logés dans différents types de boîtier tels que TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), tolT (HDSOP-16), SSO8 (TDSON-8) et S308 (TSDSON-8), afin de fournir des solutions pour différentes exigences d'alimentation ainsi que différents concepts de refroidissement au niveau de l'unité de commande électronique (ECU). Les transistors MOSFET 80 V et 100 V, à côté des applications 48 V, sont également utilisés par exemple dans l'éclairage à LED, l'injection de carburant et la charge sans fil dans les véhicules.

Double niveau logique canal N - mode d'amélioration
Certifié AEC Q101
MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C
Température d'utilisation de 175 °C
Produit vert (conforme à la norme RoHS)
Testé à 100 % en avalanche
Le double Super S08 peut remplacer plusieurs DPAK pour des économies importantes de surface de circuit imprimé et une réduction des coûts au niveau du système.
Le fil d'adhérence est de 200 um pour un courant jusqu'à 20 A.
Plus grande connexion de cadre de câble source pour le collage de fil
Boîtier : PG-TDSON-8-4
Mêmes performances thermiques et électriques qu'un DPAK avec la même taille de matrice.
Le coussin exposé fournit un excellent transfert thermique (varie en fonction de la taille de la matrice)
Deux transistors MOSFET à canal N dans un boîtier avec 2 fils isolés Cadres