MOSFET et Diode canal N Infineon 97 A 650 V Enrichissement, 5 broches, VSON CoolMOS

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Code commande RS:
220-7430
Référence fabricant:
IPL60R095CFD7AUMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET et Diode

Courant continu de Drain maximum Id

97A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Série

CoolMOS

Type de Boitier

VSON

Type de montage

En surface

Nombre de broches

5

Résistance Drain Source maximum Rds

65mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

51nC

Tension directe Vf

1V

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Dissipation de puissance maximum Pd

147W

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

8.1mm

Longueur

8.1mm

Normes/homologations

No

Hauteur

1.1mm

Standard automobile

Non

Le Infineon 600 V Cool MOS CFD7 est la toute dernière technologie de transistor MOSFET haute tension à super jonction d'Infineon avec diode intégrée à corps rapide, complète la série Cool MOS 7. Le refroidissement MOS CFD7 est fourni avec une charge de grille réduite (Qg), un comportement de mise hors tension amélioré et une charge de récupération inverse (QRR) jusqu'à 69 % plus faible que la concurrence, ainsi que le plus faible temps de récupération inverse (TRR) sur le marché.

Diode de corps ultrarapide

Charge de récupération inverse (QRR) de la meilleure classe

Diode inverse améliorée dv/dt et robustesse de/dt

Plus faible FOM RDS(on) x Qg et Eoss

Combinaisons RDS(on)/boîtier de la meilleure classe

Robustesse de commutation robuste de la meilleure qualité

Plus grande fiabilité pour les topologies résonantes

Rendement le plus élevé avec une remarquable facilité d'utilisation/compromis de performances

Permettant d'augmenter la densité de puissance

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