MOSFET canal N Infineon 110 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 HEXFET
- Code commande RS:
- 222-4735
- Référence fabricant:
- IRF3205ZSTRLPBF
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (10 unités, dans un pack de 10)*
16,08 €
HT
19,30 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 850 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,608 € | 16,08 € |
| 50 - 90 | 1,528 € | 15,28 € |
| 100 - 240 | 1,462 € | 14,62 € |
| 250 - 490 | 1,398 € | 13,98 € |
| 500 + | 1,303 € | 13,03 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4735
- Référence fabricant:
- IRF3205ZSTRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 110A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 55V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 6.5mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 170W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 76nC | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 9.65mm | |
| Hauteur | 4.83mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 110A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 55V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 6.5mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 170W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 76nC | ||
Longueur 10.67mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 9.65mm | ||
Hauteur 4.83mm | ||
Standard automobile Non | ||
La conception Infineon de transistors MOSFET de puissance HEXFET ®, également appelés transistors MOSFET, est l'acronyme de "transistors à effet de champ à transistors à semiconducteur en oxyde métallique". Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un transistor MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain.
Technologie de processus Advanced
Commutation rapide à très faible résistance à l'état passant
Sans plomb, Conforme à la directive RoHS
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 110 A 55 V Enrichissement TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 30 A 55 V Enrichissement TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 210 A 55 V Enrichissement TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 55 A 100 V Enrichissement TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 29 A 55 V Enrichissement TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 110 A 55 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 110 A 55 V Enrichissement TO-247 HEXFET
- MOSFET P Infineon 70 A 55 V Enrichissement TO-263 HEXFET