MOSFET canal N Infineon 19 A 600 V Enrichissement, 5 broches, ThinPAK IPL60R
- Code commande RS:
- 222-4916
- Référence fabricant:
- IPL60R185P7AUMA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,882 € | 14,41 € |
| 25 - 45 | 2,306 € | 11,53 € |
| 50 - 120 | 2,134 € | 10,67 € |
| 125 - 245 | 1,988 € | 9,94 € |
| 250 + | 1,846 € | 9,23 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4916
- Référence fabricant:
- IPL60R185P7AUMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 19A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | ThinPAK | |
| Série | IPL60R | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 185mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 25nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 81W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Longueur | 8.1mm | |
| Largeur | 8.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 19A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier ThinPAK | ||
Série IPL60R | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 5 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 185mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 25nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 81W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Longueur 8.1mm | ||
Largeur 8.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Infineon 600 V CoolMOS TM P7 est le successeur de la série CoolMOS TM P6 600 V. Il continue d'équilibrer le besoin d'un haut rendement par rapport à la facilité d'utilisation dans le processus de conception. La meilleure R onxA de classe et la faible charge de grille (Q G) inhérente à la plate-forme de 7e génération CoolMOS TM garantissent un haut rendement.
Robustesse ESD de ≥ 2 kV (HBM classe 2)
Résistance de porte intégrée R G
Diode intégrée robuste
Large gamme de boîtiers à montage traversant et en surface
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