MOSFET canal N Infineon 6 A 700 V Enrichissement, 3 broches, TO-251 IPS70R
- Code commande RS:
- 222-4935
- Référence fabricant:
- IPS70R900P7SAKMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 tube de 75 unités)*
27,30 €
HT
32,78 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 675 unité(s) expédiée(s) à partir du 12 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 75 + | 0,364 € | 27,30 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4935
- Référence fabricant:
- IPS70R900P7SAKMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 6A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 700V | |
| Série | IPS70R | |
| Type de Boitier | TO-251 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 900mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 30.5W | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 16V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 2.4mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 6.73mm | |
| Hauteur | 6.22mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 6A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 700V | ||
Série IPS70R | ||
Type de Boitier TO-251 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 900mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 6.8nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 30.5W | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 16V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 2.4mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 6.73mm | ||
Hauteur 6.22mm | ||
Standard automobile Non | ||
Infineon a été développé pour servir les tendances actuelles et particulièrement de demain dans les topologies flyback - la nouvelle série de transistors MOSFET Superjonction CoolMOS TM P7 700 V s'adresse au marché des alimentations SMPS à faible consommation, telles que les chargeurs de téléphone mobile ou les adaptateurs pour ordinateur portable en offrant des gains de performances fondamentaux par rapport aux technologies de superjonction utilisées aujourd'hui. En combinant les commentaires des clients avec plus de 20 ans d'expérience MOSFET de superjonction, le CoolMOS P7 700 V permet une meilleure adaptation pour les applications cibles en termes de :
Permet une commutation haute vitesse
Diode Zener de protection intégrée
V (GS) optimisée de 3 V avec une tolérance très étroite de ±0,5 V.
Portefeuille finement gradué
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 6 A 700 V Enrichissement TO-251 IPS70R
- MOSFET canal N Infineon 4 A 700 V Enrichissement TO-251 IPS70R
- MOSFET canal N Infineon 8.5 A 700 V Enrichissement TO-251 IPS70R
- MOSFET canal N Infineon 8.7 A 700 V Enrichissement TO-251 CoolMOS CE
- MOSFET canal N Infineon 4 A 700 V Enrichissement TO-251 CoolMOS
- MOSFET canal N Infineon 10 A 700 V Enrichissement TO-251 CoolMOS
- MOSFET canal N Infineon 8.5 A 700 V Enrichissement TO-251 CoolMOS
- MOSFET canal N Infineon 6 A 700 V Enrichissement TO-251 CoolMOS