MOSFET canal N Infineon 75 A 600 V Enrichissement, 8 broches, HSOF IPT60R

Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*

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Code commande RS:
222-4937
Référence fabricant:
IPT60R028G7XTMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

75A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Série

IPT60R

Type de Boitier

HSOF

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

28mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

123nC

Tension directe Vf

800mV

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

391W

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

10.1mm

Largeur

10.58mm

Normes/homologations

No

Hauteur

2.4mm

Standard automobile

Non

La série Infineon CoolMOS TM C7 Gold Superjonction MOSFET (G7) réunit les avantages de la technologie améliorée CoolMOS C7 Gold 600 V, Capacité de source Kelvin à 4 broches et propriétés thermiques améliorées du boîtier TO-Leadless (TOLL) pour permettre une solution CMS possible pour les topologies de commutation à courant élevé telles que la correction du facteur de puissance (PFC) jusqu'à 3 kW et pour les circuits résonants tels que LLC haut de gamme.

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