MOSFET canal N Infineon 29 A 600 V Enrichissement, 8 broches, HSOF IPT60R

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Code commande RS:
222-4939
Référence fabricant:
IPT60R080G7XTMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

29A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

HSOF

Série

IPT60R

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

80mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

800mV

Charge de porte typique Qg @ Vgs

42nC

Dissipation de puissance maximum Pd

167W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

10.58mm

Longueur

10.1mm

Hauteur

2.4mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

La série Infineon CoolMOS TM C7 Gold Superjonction MOSFET (G7) réunit les avantages de la technologie améliorée CoolMOS C7 Gold 600 V, Capacité de source Kelvin à 4 broches et propriétés thermiques améliorées du boîtier TO-Leadless (TOLL) pour permettre une solution CMS possible pour les topologies de commutation à courant élevé telles que la correction du facteur de puissance (PFC) jusqu'à 3 kW et pour les circuits résonants tels que LLC haut de gamme.

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