MOSFET canal N Infineon 100 mA 250 V Épuisement, 3 broches, SOT-23 BSS139I
- Code commande RS:
- 225-0563
- Référence fabricant:
- BSS139IXTSA1
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 225-0563
- Référence fabricant:
- BSS139IXTSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 250V | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Série | BSS139I | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 12.5Ω | |
| Mode de canal | Épuisement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 2.3nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 0.36W | |
| Tension directe Vf | 200mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 3.04mm | |
| Hauteur | 1.12mm | |
| Largeur | 1.4mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 250V | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Série BSS139I | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 12.5Ω | ||
Mode de canal Épuisement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 2.3nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 0.36W | ||
Tension directe Vf 200mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 3.04mm | ||
Hauteur 1.12mm | ||
Largeur 1.4mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Infineon BSS139I est un petit transistor MOSFET à canal N et P à faible puissance fournissant une large gamme de niveaux VGS(th) et de valeurs RDS(on), ainsi que plusieurs classes de tension. Ce transistor MOSFET est doté d'options de mode d'enrichissement et de déplétion.
Espace sur les circuits imprimés et économies de coûts
Flexibilité de commande de grille
Réduction de la complexité de la conception
Ecologique.
Rendement global élevé
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