MOSFET 2 canal N Double Infineon 70 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PQFN HEXFET AEC-Q101
- Code commande RS:
- 229-1740
- Référence fabricant:
- AUIRFN8459TR
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 229-1740
- Référence fabricant:
- AUIRFN8459TR
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 70A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | PQFN | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 5.9mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 40nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 50W | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Configuration du transistor | Double | |
| Hauteur | 1.2mm | |
| Longueur | 5mm | |
| Largeur | 5.85mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 70A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier PQFN | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 5.9mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 40nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 50W | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Configuration du transistor Double | ||
Hauteur 1.2mm | ||
Longueur 5mm | ||
Largeur 5.85mm | ||
Normes/homologations No | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le transistor MOSFET de puissance HEXFET double canal n Infineon dans un boîtier PQFN 5 x 6 L permet une avalanche répétitive jusqu'à Tjmax. Il est doté d'une vitesse de commutation rapide et sans plomb.
Il est conforme à la directive RoHS
Sa température d'utilisation est de 175 °C.
Il est doté d'une très faible résistance à l'état passant
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