MOSFET canal N Infineon 50 A 80 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 IPD AEC-Q101

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
229-1833
Référence fabricant:
IPD50N08S413ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

50A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Type de Boitier

TO-252

Série

IPD

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

13.2mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

72W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

19nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.3V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

6.22mm

Normes/homologations

No

Longueur

6.5mm

Hauteur

2.3mm

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor MOSFET Infineon à canal n est doté d'une température d'utilisation de 175 °C et testé à 100 % en avalanche.

Il est conforme à la directive RoHS et certifié AEC Q101

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