MOSFET canal N Infineon 454 A 60 V Enrichissement, 8 broches, HSOG IPTG

Sous-total (1800 unités, sur une bobine de 1800)*

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Code commande RS:
233-4381
Référence fabricant:
IPTG007N06NM5ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

454A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

HSOG

Série

IPTG

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.75mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

216nC

Dissipation de puissance maximum Pd

375W

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Hauteur

2.4mm

Longueur

10.1mm

Largeur

8.75mm

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET de puissance Infineon OptiMOS IPTG007N06NM5 est fourni dans le boîtier amélioré à sortie TO avec des cordons Gullwing. Avec un encombrement compatible à TO-Leadless, TOLG permet d'excellentes performances électriques par rapport à D2PAK 7 broches avec une réduction de l'espace sur la carte d'environ 60 %. Ce nouveau boîtier en OptiMOS 5 - 60 V offre un RDS(on) très faible et est optimisé pour gérer un courant élevé de 300 A. La flexibilité des cordons Gullwing, OptiMOS dans un boîtier TOLG, offre une excellente fiabilité des joints à souder sur la carte Al-IMS. Cela entraîne 2 cycles thermiques plus élevés sur la carte

Rendement élevé et IEM plus faible

Capacité hautes performances

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