MOSFET N Infineon 190 A 150 V Enrichissement, 8 broches, HSOF-8 IPT AEC-Q101

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Code commande RS:
249-3348
Référence fabricant:
IPT039N15N5ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

190A

Tension Drain Source maximum Vds

150V

Type de Boitier

HSOF-8

Série

IPT

Type de montage

Surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

3mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.3V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

81W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

80nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor mosfet de puissance Infineon Optimos 5 est un transistor mosfet à canal N qui offre une très faible résistance à l'état passant et une résistance thermique supérieure. Ce dispositif est sans plomb (plomb) et sans halogène. Il est fourni dans un boîtier PG-HSOF-8 à montage en surface.

La tension de drain vers source (Vdss) est de 150 V

Le courant de drain continu est (Id) à 25 °C est de 21 A (Ta), 190 A (Tc)

Les tensions d'entraînement (Rds max. activés, Rds min. activés) sont de 8 V et 10 V

La température d'utilisation est de -55 °C à 175 °C (TJ)

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