MOSFET canal N Infineon 120 mA 40 V Épuisement, 3 broches, SOT-223 BSP AEC-Q101

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250-0530
Référence fabricant:
BSP129H6906XTSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

120mA

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

SOT-223

Série

BSP

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1.4mΩ

Mode de canal

Épuisement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

81W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

80nC

Tension directe Vf

1V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

AEC-Q101

Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 280 mA Maximum Continuous Drain Current, 1,8W Maximum Power Dissipation - BSP129H6906XTSA1


Ce transistor à petit signal est une solution efficace pour les dispositifs nécessitant une tension élevée et un montage en surface. En tant que MOSFET à canal N en mode de déplétion, il permet un fonctionnement efficace dans diverses applications électroniques. Avec une tension drain-source maximale de 240V et une capacité de courant drain continu de 280mA, ce produit est bien adapté aux applications automobiles et d'automatisation, ce qui en fait un choix fiable pour la gestion de l'alimentation dans différents circuits électroniques.

Caractéristiques et avantages


• La configuration à canal N permet des opérations de commutation efficaces

• La fonctionnalité du mode de déplétion assure une performance constante du courant

• Les tensions nominales élevées assurent la polyvalence des applications

• La faible tension de seuil de la grille améliore la compatibilité du système

• Le montage en surface permet des installations peu encombrantes

• Qualifié AEC-Q101, adapté à l'usage automobile

Applications


• Convient aux systèmes de contrôle automobile

• Peut être utilisé dans les circuits de gestion de l'énergie

• L'électronique grand public au service de l'efficacité

Comment assurer une installation correcte pour des performances optimales ?


Installer le MOSFET sur le circuit imprimé en suivant les directives de montage spécifiées, en veillant à une gestion thermique correcte pour une dissipation efficace de la chaleur.

Quels sont les éléments à prendre en compte pour la gestion thermique pendant le fonctionnement ?


La résistance thermique doit être surveillée, car la température de fonctionnement va de -55°C à +150°C, ce qui nécessite une conception adéquate du circuit imprimé pour faciliter une conduction efficace de la chaleur.

Quel type d'entraînement de portail est recommandé pour ce produit ?


Une tension de grille comprise dans la plage spécifiée de ±20V est essentielle pour obtenir des caractéristiques de commutation optimales, garantissant un fonctionnement fiable dans toutes les applications.

Ce MOSFET peut-il être utilisé dans des applications de commutation à grande vitesse ?


Oui, il est conçu pour fonctionner efficacement dans des scénarios de commutation à grande vitesse, grâce à des délais d'activation et de désactivation spécifiés.

Quelles sont les caractéristiques de la charge de grille à prendre en compte ?


La charge totale de la grille à 5V est d'environ 3,8nC, ce qui optimise l'efficacité énergétique pendant la commutation sans imposer de charge excessive aux circuits de commande.

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