MOSFET canal N Infineon 0.12 A 100 V Enrichissement, 3 broches, SOT-223 BSP AEC-Q101

Sous-total (1 bobine de 4000 unités)*

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Code commande RS:
250-0533
Référence fabricant:
BSP296NH6433XTMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

0.12A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

SOT-223

Série

BSP

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1.4mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

80nC

Tension directe Vf

1V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

81W

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor à petit signal OptiMOS d'Infineon est un canal N, le mode d'amélioration et le niveau logique est évalué à 4,5 V. Il est homologué Avalanche, 100 % sans plomb et sans halogène.

Avalanche et sans plomb à 100 %

Vds de 100 V et Id de 1,2 A

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