Références fabricant

MOSFET P Infineon 680 mA -100 V Enrichissement, 3 broches, SOT-223 BSP AEC-Q101

Code commande RS:: 250-0535
Référence fabricant:: BSP316PH6327XTSA1
Marque:: Infineon

MOSFET P Infineon 680 mA -100 V Enrichissement, 3 broches, SOT-223 BSP AEC-Q101

Sous-total (1000 unités, sur une bobine de 1000)*

259,00 €

311,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
1000 +	0,259 €	259,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 250-0535
Référence fabricant:: BSP316PH6327XTSA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de canal	Type P
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	680mA
	Tension Drain Source maximum Vds	-100V
	Type de Boitier	SOT-223
	Série	BSP
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	1800mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension directe Vf	1V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Dissipation de puissance maximum Pd	81W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	80nC
	Température d'utilisation maximum	+150°C
	Normes/homologations	RoHS
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de canal Type P
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 680mA
	Tension Drain Source maximum Vds -100V
	Type de Boitier SOT-223
	Série BSP
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 1800mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension directe Vf 1V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Dissipation de puissance maximum Pd 81W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC
	Température d'utilisation maximum +150°C
	Normes/homologations RoHS
	Standard automobile AEC-Q101

Datasheet - BSP316PH6327XTSA1

Infineon fabrique ce mosfet SIPMOS, canal P à transistor à petit signal, en mode d'amélioration. Le dispositif est un transistor à mode d'amélioration, canal P, à valeur nominale dv/dt, largement utilisé dans les applications à haute commutation. Elle est homologuée pour les avalanches et sans halogène.

Vds est de 100 V, RDS(on) 1,8 Ω et Id est de 0,68 A

Dissipation de puissance maximale de 360 mW

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