MOSFET canal N Infineon 0.68 A 100 V Enrichissement, 3 broches, SOT-223 BSP AEC-Q101
- Code commande RS:
- 250-0536
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-40-496
- Référence fabricant:
- BSP316PH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 50 - 120 | 0,98 € | 4,90 € |
| 125 - 245 | 0,916 € | 4,58 € |
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- Code commande RS:
- 250-0536
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-40-496
- Référence fabricant:
- BSP316PH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 0.68A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | SOT-223 | |
| Série | BSP | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.4mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 81W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 0.68A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier SOT-223 | ||
Série BSP | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.4mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 81W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Infineon fabrique ce mosfet SIPMOS, canal P à transistor à petit signal, en mode d'amélioration. Le dispositif est un transistor à mode d'amélioration, canal P, à valeur nominale dv/dt, largement utilisé dans les applications à haute commutation. Elle est homologuée pour les avalanches et sans halogène.
Vds est de 100 V, RDS(on) 1,8 Ω et Id est de 0,68 A
Dissipation de puissance maximale de 360 mW
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