MOSFET canal N Infineon 0.12 A 40 V Épuisement, 3 broches, SOT-223 BSP AEC-Q101

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Code commande RS:
250-0532
Référence fabricant:
BSP149H6906XTSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

0.12A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Série

BSP

Type de Boitier

SOT-223

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1.4mΩ

Mode de canal

Épuisement

Dissipation de puissance maximum Pd

81W

Tension directe Vf

1V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

80nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

AEC-Q101

L'Infineon produit un transistor MOSFET à petit signal à mode d'épuisement de canal N largement utilisé dans les applications à haute commutation. Elle est homologuée pour les avalanches et sans halogène. Il est doté d'une valeur nominale dv/dt et est disponible avec un indicateur VGS(th) sur la bobine. La VDS est de 200 V, RDS(on)max est de 3,5 Ω tandis qu'IDSS, min est de 0,14 A.

Placage de plomb sans plomb et sans halogène

Fourni dans un boîtier SOT233

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