Références fabricant

MOSFET canal N Infineon 0.12 A 40 V Épuisement, 3 broches, SOT-223 BSP AEC-Q101

Code commande RS:: 250-0531
Référence fabricant:: BSP149H6906XTSA1
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 0.12 A 40 V Épuisement, 3 broches, SOT-223 BSP AEC-Q101

Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*

374,00 €

449,00 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

Dernier stock RS

8 000 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution

Unité	Prix par unité	la bobine*
1000 +	0,374 €	374,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 250-0531
Référence fabricant:: BSP149H6906XTSA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	0.12A
	Tension Drain Source maximum Vds	40V
	Type de Boitier	SOT-223
	Série	BSP
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	1.4mΩ
	Mode de canal	Épuisement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	81W
	Tension directe Vf	1V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	80nC
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Normes/homologations	RoHS
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 0.12A
	Tension Drain Source maximum Vds 40V
	Type de Boitier SOT-223
	Série BSP
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 1.4mΩ
	Mode de canal Épuisement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 81W
	Tension directe Vf 1V
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Normes/homologations RoHS
	Standard automobile AEC-Q101

Datasheet - BSP149H6906XTSA1

L'Infineon produit un transistor MOSFET à petit signal à mode d'épuisement de canal N largement utilisé dans les applications à haute commutation. Elle est homologuée pour les avalanches et sans halogène. Il est doté d'une valeur nominale dv/dt et est disponible avec un indicateur VGS(th) sur la bobine. La VDS est de 200 V, RDS(on)max est de 3,5 Ω tandis qu'IDSS, min est de 0,14 A.

Placage de plomb sans plomb et sans halogène

Fourni dans un boîtier SOT233

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