MOSFET canal N Infineon 120 mA 600 V Enrichissement, 3 broches, SOT-223 BSP AEC-Q101

Sous-total (4000 unités, sur une bobine de 4000)*

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Code commande RS:
250-0527
Référence fabricant:
BSP125H6433XTMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

120mA

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

SOT-223

Série

BSP

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

45000mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

81W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

80nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1V

Température d'utilisation maximum

+150°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

AEC-Q101

Les produits à canal N à petit signal d'Infineon sont adaptés aux applications automobiles. Ce transistor de puissance SIPMOS est un mode d'amélioration à canal N avec Vds de 600 V, Rds(on) 45 Ω et un Id de 0,12 A. Il est doté d'une valeur nominale dv/dt.

Placage de câble sans plomb

Puissance de dissipation maximale de 360 mW

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