MOSFET canal N Infineon 0.12 A 40 V Enrichissement, 3 broches, SOT-223 BSP AEC-Q101
- Code commande RS:
- 250-0528
- Référence fabricant:
- BSP125H6433XTMA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
5,32 €
HT
6,385 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 3 910 unité(s) expédiée(s) à partir du 14 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,064 € | 5,32 € |
| 50 - 120 | 0,914 € | 4,57 € |
| 125 - 245 | 0,852 € | 4,26 € |
| 250 - 495 | 0,784 € | 3,92 € |
| 500 + | 0,736 € | 3,68 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 250-0528
- Référence fabricant:
- BSP125H6433XTMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 0.12A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | SOT-223 | |
| Série | BSP | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.4mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 81W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 0.12A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier SOT-223 | ||
Série BSP | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.4mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 81W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Les produits à canal N à petit signal d'Infineon sont adaptés aux applications automobiles. Ce transistor de puissance SIPMOS est un mode d'amélioration à canal N avec Vds de 600 V, Rds(on) 45 Ω et un Id de 0,12 A. Il est doté d'une valeur nominale dv/dt.
Placage de câble sans plomb
Puissance de dissipation maximale de 360 mW
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N Infineon 0.12 A 40 V Enrichissement SOT-223 BSP AEC-Q101
- MOSFET N Infineon 0.12 A 100 V Enrichissement SOT-223 BSP AEC-Q101
- MOSFET N Infineon 0.12 A 40 V Épuisement SOT-223 BSP AEC-Q101
- MOSFET N Infineon 0.68 A 100 V Enrichissement SOT-223 BSP AEC-Q101
- MOSFET N Infineon 120 mA 600 V Enrichissement SOT-223 SIPMOS AEC-Q101
- MOSFET N Infineon 170 mA 400 V Enrichissement SOT-223 SIPMOS AEC-Q101
- MOSFET N Infineon 350 mA 240 V Enrichissement SOT-223 SIPMOS AEC-Q101
- MOSFET N Infineon 350 mA 240 V Enrichissement SOT-223 BSP88 AEC-Q101