MOSFET canal N Infineon 400 A 40 V Enrichissement, 8 broches, HSOF-8 IPT AEC-Q101

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250-0595
Référence fabricant:
IPT60R055CFD7XTMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

400A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Série

IPT

Type de Boitier

HSOF-8

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

1.7mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1V

Dissipation de puissance maximum Pd

81W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

80nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

AEC-Q101

Le CoolMOS d'Infineon est une technologie révolutionnaire pour les transistors MOSFET de puissance haute tension, conçue selon le principe de super jonction (SJ) et conçue par les technologies d'Infineon. Le dernier CFD7 de CoolMOS est le successeur de la série CFD2 de CoolMOS. Il s'agit d'une plate-forme optimisée conçue pour cibler les applications à commutation douce telles que le décalage de phase à pont intégral (ZVS) et LLC résultant d'une charge de grille (Qg) réduite, de la meilleure charge de récupération inverse (Qrr) de sa catégorie et d'un comportement de mise hors tension amélioré. Le CFD7 de CoolMOS offre le rendement le plus élevé dans les topologies résonantes.

Meilleur RDS(on) de sa catégorie dans les boîtiers SMD et THDE

xcellente robustesse à commutation dure

Fiabilité maximale pour les topologies résonantes

Efficacité maximale avec un compromis exceptionnel entre facilité d'utilisation et performances

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