MOSFET N Infineon 11 A 100 V Enrichissement, 5 broches, TO-220 HEXFET
- Code commande RS:
- 258-3977
- Référence fabricant:
- IRFI4212H-117PXKMA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le tube* | Économie |
|---|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,526 € | 76,30 € | - |
| 100 - 200 | 1,236 € | 61,80 € | 29,00 € |
| 250 - 450 | 1,16 € | 58,00 € | 91,50 € |
| 500 - 950 | 1,099 € | 54,95 € | 213,50 € |
| 1000 + | 1,053 € | 52,65 € | 473,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 258-3977
- Référence fabricant:
- IRFI4212H-117PXKMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 11A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 72.50mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 10V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 12nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 11A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 5 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 72.50mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 10V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 12nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET Infineon série HEXFET, tension drain-source maximale de 100 V, courant de drain continu maximal de 11 A - IRFI4212H-117PXKMA1
Ce MOSFET à canal N est un transistor de puissance à montage en surface destiné à la commutation et à l'amplification dans les systèmes électroniques industriels. Il fonctionne dans une large plage de températures et est conforme aux limites environnementales RoHS, ce qui le rend adapté aux installations nécessitant des composants sans plomb et une large tolérance thermique.
Caractéristiques et avantages :
• La faible résistance à l'état passant réduit les pertes de conduction
• La tension nominale élevée prend en charge les rails d'alimentation surélevés
• La charge de grille modérée permet des transitions de commutation plus rapides
• Le boîtier à cinq bornes simplifie le montage et les connexions
• La capacité de température étendue maintient le fonctionnement dans des conditions extrêmes
• La tension nominale élevée prend en charge les rails d'alimentation surélevés
• La charge de grille modérée permet des transitions de commutation plus rapides
• Le boîtier à cinq bornes simplifie le montage et les connexions
• La capacité de température étendue maintient le fonctionnement dans des conditions extrêmes
Applications
• Convient aux modules de conversion de puissance dans les équipements industriels
• Idéal pour les étages de commutation d'entraînement de moteur nécessitant un courant de 11 A
• Utilisé avec des configurations de commutateurs haute tension jusqu'à 100 V
• Convient aux assemblages nécessitant un boîtier TO-220 à montage en surface
• Utilisé pour les environnements soumis à des contraintes thermiques de -55 °C à 150 °C
• Idéal pour les étages de commutation d'entraînement de moteur nécessitant un courant de 11 A
• Utilisé avec des configurations de commutateurs haute tension jusqu'à 100 V
• Convient aux assemblages nécessitant un boîtier TO-220 à montage en surface
• Utilisé pour les environnements soumis à des contraintes thermiques de -55 °C à 150 °C
Quelle est la polarité du canal?
Il utilise un mode d'amélioration à canal N pour la conduction d'électrons.
Comment la demande de commande de grille affecte-t-elle la commutation?
La charge de grille typique est de 12 nC à la tension de grille nominale, ce qui influe sur la taille du driver et la vitesse de commutation.
Quelles contraintes électriques ce dispositif peut-il supporter entre le drain et la source?
Il est doté d'une tension nominale de 100 V entre le drain et la source dans les conditions maximales spécifiées.
Quel boîtier et quelle méthode de montage sont fournis?
Il est fourni dans un boîtier TO‐220 conçu pour le montage en surface.
Quelles sont les caractéristiques de limitation qui définissent l'efficacité de la conduction?
La résistance maximale drain-source à l'état passant est de 72,50 mΩ, affectant les pertes de conduction à courant élevé.
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