Références fabricant

MOSFET canal N Infineon 180 A 60 V P, TSDSON iPB

Code commande RS:: 258-7065
Référence fabricant:: IPB016N06L3GATMA1
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 180 A 60 V P, TSDSON iPB

Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*

1 248,00 €

1 498,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
1000 +	1,248 €	1 248,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 258-7065
Référence fabricant:: IPB016N06L3GATMA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	180A
	Tension Drain Source maximum Vds	60V
	Type de Boitier	TSDSON
	Série	iPB
	Type de montage	En surface
	Mode de canal	P
	Normes/homologations	No
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 180A
	Tension Drain Source maximum Vds 60V
	Type de Boitier TSDSON
	Série iPB
	Type de montage En surface
	Mode de canal P
	Normes/homologations No
	Standard automobile Non

Datasheet - IPB016N06L3GATMA1

Le transistor de puissance Infineon OptiMOS 3 est un choix parfait pour le redressement synchrone dans les alimentations à découpage, telles que celles que l'on trouve dans les serveurs, les ordinateurs de bureau et les chargeurs de tablettes. En outre, ces dispositifs peuvent être utilisés pour une large gamme d'applications industrielles, notamment la commande de moteurs, les micro-onduleurs solaires et les convertisseurs c.c.-c.c. à commutation rapide.

Faible résistance à l'état passant RDS(on)

Idéal pour les applications de commutation rapide

Conforme à la directive RoHS

Efficacité maximale du système

MOSFET canal N Infineon 180 A 60 V P, TSDSON iPB

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