MOSFET canal N Infineon 180 A 60 V P, TSDSON iPB

Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

8,90 €

HT

10,68 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Informations sur le stock actuellement indisponibles. - Veuillez vérifier plus tard

Unité
Prix par unité
le paquet*
2 - 184,45 €8,90 €
20 - 483,78 €7,56 €
50 - 983,56 €7,12 €
100 - 1983,29 €6,58 €
200 +3,065 €6,13 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
258-7735
Référence fabricant:
IPB016N06L3GATMA1
Marque:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

180A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

iPB

Type de Boitier

TSDSON

Type de montage

En surface

Mode de canal

P

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Le transistor de puissance Infineon OptiMOS 3 est un choix parfait pour le redressement synchrone dans les alimentations à découpage, telles que celles que l'on trouve dans les serveurs, les ordinateurs de bureau et les chargeurs de tablettes. En outre, ces dispositifs peuvent être utilisés pour une large gamme d'applications industrielles, notamment la commande de moteurs, les micro-onduleurs solaires et les convertisseurs c.c.-c.c. à commutation rapide.

Faible résistance à l'état passant RDS(on)

Idéal pour les applications de commutation rapide

Conforme à la directive RoHS

Efficacité maximale du système

Nos clients ont également consulté