MOSFET canal N Infineon 104 A 150 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 HEXFET
- Code commande RS:
- 688-6932
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-29-286
- Référence fabricant:
- IRFB4115PBF
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 688-6932
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-29-286
- Référence fabricant:
- IRFB4115PBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 104A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 150V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 11mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 77nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 380W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 9.02mm | |
| Largeur | 4.83mm | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 104A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 150V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 11mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 77nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 380W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 9.02mm | ||
Largeur 4.83mm | ||
Longueur 10.67mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET Infineon série HEXFET, tension de source de drain maximale de 150 V, courant de drain continu maximum de 104 A - IRFB4115PBF
Ce MOSFET est un dispositif d'amélioration à canal N haute puissance conçu pour les tâches de commutation et de conversion de puissance dans les systèmes électroniques exigeants. Il fonctionne sur une large plage thermique adaptée aux environnements difficiles et est fourni dans un boîtier TO-220 à trou traversant pour un dissipateur thermique et un assemblage simples. Le dispositif fournit une capacité de courant de drain continu substantielle et est destiné aux applications nécessitant une gestion efficace des courants élevés et des performances de commutation rapides.
Caractéristiques et avantages :
• La tension de drain maximale de 150 V permet une commutation haute tension
• Le courant de drainage continu de 104 A permet de gérer les charges lourdes
• Le faible RDS(on) de 11 mΩ minimise les pertes de conduction à courant élevé
• La dissipation de puissance de 380 W permet une charge thermique soutenue
• La charge de grille typique de 77 nC permet des transitions de commutation rapides
• La tension directe de 1,3 V réduit la chute de conduction de la diode
• Le courant de drainage continu de 104 A permet de gérer les charges lourdes
• Le faible RDS(on) de 11 mΩ minimise les pertes de conduction à courant élevé
• La dissipation de puissance de 380 W permet une charge thermique soutenue
• La charge de grille typique de 77 nC permet des transitions de commutation rapides
• La tension directe de 1,3 V réduit la chute de conduction de la diode
Applications
• Convient aux pilotes de moteur Infineon HEXFET 150 V MOSFET TO-220
• Idéal pour les transistors MOSFET 150 V 104 A pour les alimentations à découpage
• Utilisé avec les circuits MOSFET à canal N amélioré haute puissance
• Peut être utilisé pour les étages de puissance MOSFET à trou traversant TO-220 de 380 W
• Idéal pour les transistors MOSFET 150 V 104 A pour les alimentations à découpage
• Utilisé avec les circuits MOSFET à canal N amélioré haute puissance
• Peut être utilisé pour les étages de puissance MOSFET à trou traversant TO-220 de 380 W
Quelles sont les limites de tension de grille que les concepteurs doivent respecter?
La valeur nominale grille-source est de ±20 V, de sorte que les circuits d'entraînement doivent maintenir le VGS dans cette plage pour éviter d'endommager la grille.
Comment le dispositif fonctionne-t-il à des températures extrêmes?
Il est spécifié pour fonctionner de -55 °C à 175 °C, garantissant le maintien des caractéristiques électriques dans ces conditions ambiantes et de jonction.
Quelles sont les considérations relatives au montage et au nombre de broches qui s'appliquent?
Le composant est doté de trois broches et est destiné au montage traversant dans un format TO-220 pour faciliter la fixation sécurisée du dissipateur thermique.
Quel canal et quel mode de conduction utilise-t-il?
Il s'agit d'un dispositif à canal N fonctionnant en mode d'amélioration, nécessitant une porte positive par rapport à la source pour s'activer.
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