MOSFET P Vishay 9.9 A 50 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 IRFR

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
812-0641
Référence fabricant:
IRFR9020TRPBF
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

9.9A

Tension Drain Source maximum Vds

50V

Type de Boitier

TO-252

Série

IRFR

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

280mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

42W

Tension directe Vf

-6.3V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

9.4nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

6.73mm

Largeur

6.22mm

Normes/homologations

No

Hauteur

2.38mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
MY

Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


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