Références fabricant

MOSFET P Infineon 38 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 HEXFET

Code commande RS:: 831-2825
Numéro d'article Distrelec:: 304-44-445
Référence fabricant:: IRF5210STRLPBF
Marque:: Infineon

MOSFET P Infineon 38 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 HEXFET

Sous-total (5 unités, dans un pack de 5)*

21,36 €

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5 +	4,272 €	21,36 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 831-2825
Numéro d'article Distrelec:: 304-44-445
Référence fabricant:: IRF5210STRLPBF
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	Type P
	Courant continu de Drain maximum Id	38A
	Tension Drain Source maximum Vds	100V
	Type de Boitier	TO-263
	Série	HEXFET
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	60mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	170W
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Tension directe Vf	-1.6V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	150nC
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Hauteur	4.83mm
	Longueur	10.67mm
	Largeur	9.65mm
	Normes/homologations	No
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de produit MOSFET
	Type de canal Type P
	Courant continu de Drain maximum Id 38A
	Tension Drain Source maximum Vds 100V
	Type de Boitier TO-263
	Série HEXFET
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 60mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 170W
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Tension directe Vf -1.6V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 150nC
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Hauteur 4.83mm
	Longueur 10.67mm
	Largeur 9.65mm
	Normes/homologations No
	Standard automobile Non

IRF5210SPbF, IRF5210LPbF, HEXFET Power MOSFET

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