MOSFET canal N Infineon 130 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 HEXFET
- Code commande RS:
- 913-3979
- Référence fabricant:
- IRFB4310PBF
- Marque:
- Infineon
Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros
Ajoutez 100 de plus pour économiser 17%
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 tube de 50 unités)*
102,95 €
HT
123,55 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 18 janvier 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* | Économie |
|---|---|---|---|
| 50 - 50 | 2,059 € | 102,95 € | - |
| 100 - 200 | 1,689 € | 84,45 € | 17% |
| 250 + | 1,586 € | 79,30 € | 22% |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 913-3979
- Référence fabricant:
- IRFB4310PBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 130A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 7mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 170nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 300W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 10.66mm | |
| Hauteur | 9.02mm | |
| Largeur | 4.82mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 130A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 7mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 170nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 300W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 10.66mm | ||
Hauteur 9.02mm | ||
Largeur 4.82mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MX
MOSFET Infineon de la série HEXFET, courant de vidange continu maximal de 130A, dissipation de puissance maximale de 300W - IRFB4310PBF
Ce transistor de puissance robuste et efficace est conçu pour des applications de haute performance dans les domaines de l'automatisation, de l'électronique et de l'industrie électrique. La technologie à canal N offre des avantages en matière de gestion de l'énergie et de capacités de commutation. Sa plage de températures de fonctionnement de -55°C à +175°C renforce sa polyvalence et sa fiabilité dans divers environnements.
Caractéristiques et avantages
• Prend en charge jusqu'à 130A de courant de drainage continu pour les demandes de charge importantes
• Fonctionne avec une tension maximale de 100 V pour une meilleure utilité
• Le faible RDS(on) de 7 mΩ minimise la perte de puissance
• Fonctionnement en mode d'amélioration pour plus d'efficacité
• Robustesse intégrée avec des capacités d'avalanche et de dV/dt dynamique
• Capacité entièrement caractérisée pour une optimisation précise des performances
Applications
• Utilisé dans les systèmes de rectification synchrone à haut rendement
• Utilisé dans les alimentations sans interruption pour une sauvegarde fiable de l'énergie
• Convient aux circuits de commutation de puissance à grande vitesse
• Conçue pour les applications à commutation dure et à haute fréquence
Quel est l'impact d'un faible RDS(on) sur l'efficacité ?
Le faible RDS(on) réduit la production de chaleur pendant le fonctionnement, ce qui améliore l'efficacité de la fourniture d'énergie.
Quelle est l'importance de la capacité d'avalanche ?
La capacité d'avalanche protège le dispositif contre les pointes de tension excessives, ce qui favorise des performances stables dans des conditions difficiles.
Ce dispositif peut-il être utilisé dans des applications à haute fréquence ?
Oui, ce MOSFET est conçu pour les circuits à haute fréquence, ce qui le rend adapté à diverses applications avancées.
Quel est le courant maximal qu'il peut supporter à des températures élevées ?
A une température de 100°C, le courant de vidange continu maximal peut atteindre 92 A, ce qui garantit des performances fiables.
Comment doit-il être monté pour une performance optimale ?
Il est recommandé de monter l'appareil sur une surface plane et graissée afin de maximiser le transfert thermique vers le dissipateur.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 130 A 100 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 130 A 100 V, TO-220 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 46 A 250 V Enrichissement, TO-220 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 35 A 150 V Enrichissement, TO-220 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 76 A 200 V Enrichissement, TO-220 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 95 A 60 V Enrichissement, TO-220 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 120 A 40 V Enrichissement, TO-220 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 130 A 200 V Enrichissement TO-247 HEXFET