MOSFET canal N Infineon 62 A 30 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 HEXFET

Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
Code commande RS:
913-4036
Référence fabricant:
IRLB8721PBF
Marque:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

62A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

TO-220

Série

HEXFET

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

9mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

7.6nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

65W

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

4.83mm

Normes/homologations

No

Longueur

10.67mm

Hauteur

9.02mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
MX

MOSFET Infineon de la série HEXFET, tension de source de drain maximale de 30V, courant de drain continu maximal de 62A - IRLB8721PBF


Ce MOSFET est un dispositif de commutation haute performance conçu pour diverses applications dans les domaines de l'électronique et de l'automatisation. Avec un boîtier TO-220AB robuste, il présente une capacité de courant de drain continu de 62A et peut supporter une tension drain-source maximale de 30V. L'appareil fonctionne efficacement sur une large plage de températures allant de -55°C à +175°C, ce qui le rend adapté aux environnements exigeants.

Caractéristiques et avantages


• Prise en charge des convertisseurs abaisseurs synchrones à haute fréquence

• Conçue pour une utilisation efficace des courants forts

• Caractérisation complète de la tension et du courant d'avalanche

• Une charge de grille minimale améliore les performances de commutation

• Les options de montage polyvalentes simplifient l'intégration dans les conceptions

Applications


• Utilisé dans les systèmes UPS et les onduleurs

• Efficace dans les convertisseurs DC-DC isolés à haute fréquence

• Adapté au redressement synchrone dans les solutions industrielles

• Composant clé des blocs d'alimentation des processeurs d'ordinateurs

Quelle est la signification du faible Rds(on) de l'appareil ?


Le faible Rds(on) réduit considérablement les pertes de conduction, améliorant ainsi le rendement global dans les applications de conversion de puissance, ce qui est crucial pour maintenir les performances dans les opérations à courant élevé.

Comment la tension maximale du seuil de la porte affecte-t-elle les performances de l'appareil ?


La plage de tension de seuil de grille de 1,35V à 2,35V garantit que le dispositif peut être contrôlé de manière fiable dans diverses applications, offrant ainsi une flexibilité dans l'intégration avec différents circuits de commande.

Quelles sont les considérations à prendre en compte pour la gestion thermique des applications ?


Compte tenu de la puissance dissipée maximale de 65 W, des stratégies de gestion thermique appropriées doivent être mises en œuvre, telles que l'utilisation d'un dissipateur thermique adéquat, afin d'éviter la surchauffe et d'assurer un fonctionnement fiable.

Ce MOSFET peut-il être utilisé dans des applications automobiles ?


Oui, il est conçu pour fonctionner efficacement dans des environnements à haute température, ce qui le rend adapté aux applications automobiles où la variabilité thermique est un problème.

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.