Module IGBT, FP25R12W2T4BOMA1, , 39 A, 1200 V
- Code commande RS:
- 244-5392
- Référence fabricant:
- FP25R12W2T4BOMA1
- Marque:
- Infineon
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Sous-total (1 plateau de 15 unités)*
511,995 €
HT
614,40 €
TTC
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | 34,133 € | 512,00 € |
| 30 + | 32,426 € | 486,39 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 244-5392
- Référence fabricant:
- FP25R12W2T4BOMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 39 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | +/-20V | |
| Nombre de transistors | 7 | |
| Dissipation de puissance maximum | 175 W | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 39 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 1200 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum +/-20V | ||
Nombre de transistors 7 | ||
Dissipation de puissance maximum 175 W | ||
The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 50 A and maximum collector-emitter saturation voltag 2.25 V, gate threshold voltage is 6.4 V.
Collector-emitter cut-off current 1.0 mA
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 400 nA
Reverse transfer capacitance 0.05 nF
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 400 nA
Reverse transfer capacitance 0.05 nF